ir2104简介
IR2104（S）高电压，高转速动力MOSFET和GBT驱动器与相关的高与低侧参考输出通道专有HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片式结构逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出下降到33V逻辑输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动器交叉传导浮贵沟道，可用于驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT其中可从10到600伏的高侧配置。
ir2104特点
1.设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+600V
耐负瞬态电压
dVIdt免疫
2.栅极驱动电压范围从10到20V
3.欠压锁定
4.兼容33V5V和15V输入逻辑
5.跨导预防逻辑
6.内部设置死区时间
7.同相输入高侧输出
8.关闭输入关闭两个通道
9.匹配的传播延迟为两个通道
10.也可用无铅
ir2104技术参数
引脚数目：8
安装：通孔
最大工作温度：125°C
最小工作温度：-40°C
最大升压时间：170ns
最大接通时延：60ns
最大断路时延：60ns
最大电源电流：0.27A
桥类型：半桥
输出数目：2
ir2104引脚图及功能说明
r2104管脚功能描述:
ir2104绝对最大额定值
